半导体激光器具有体积小、重量轻、电光转换效率高、可靠性高、寿命长等优点。它在工业加工、生物医学和国防等领域具有重要应用。1962年，美国科学家成功研制出第一代GaAs均匀结构注入半导体激光器。1963年，Alferov和前苏联科学院Yofei物理研究所的其他人宣布成功开发了双异质结半导体激光器。20世纪80年代以后，由于能带工程理论的引入，同时出现了新的晶体外延材料生长工艺[如分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等]，量子阱激光器登上了历史舞台，大大提高了器件性能，实现了高功率输出。
大功率半导体激光器主要分为单管和条形两种结构。单管结构大多采用宽带大光腔设计，增加增益面积，实现高功率输出，减少腔面灾难性损伤；条形结构它是多个单管激光器的平行线性阵列，多个激光器同时工作，然后通过组合光束等方式实现高功率激光输出。原始的高功率半导体激光器主要用于泵浦固态激光器和光纤激光器，其波段为808nm。980nm。随着近红外波段大功率半导体激光器单元技术的成熟和成本的降低，全固态激光器和基于它们的光纤激光器的性能不断提高。单管连续波（CW）的输出功率十年的8.1W达到了29.5W的水平，条形CW的输出功率达到了1010W，脉冲输出功率达到2800W，极大地推动了激光技术在加工领域的应用进程。半导体激光器作为泵浦源的成本占固体激光器总成本的1/3~1/2，占光纤激光器的1/2~2/3。因此，光纤激光器和全固态激光器的快速发展促进了高功率半导体激光器的发展。